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光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法

文献类型:专利

作者中尾 正史; 近藤 康洋; 岡安 雅信; 永沼 充; 鈴木 安弘; 湯田 正宏; 三冨 修; 笠谷 和生; 中野 純一; 横山 清行
发表日期2003-04-25
专利号JP3421999B2
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法
英文摘要【目的】 広帯域な発光特性をもち、かつ高密度に集積化された光機能素子を提供すること。 【構成】 光機能素子は、半導体基板1と、この上に形成された光機能層(発光層、吸収層、光導波層)とを具備し、光機能層は多重量子井戸層6を有する。好ましくは、基板は1〜10μmのリッジ幅、1〜5μmのリッジ高さ、かつ1〜10μmの溝幅のリッジ形状を有する非平坦半導体基板である。このような素子は上述の特定サイズ範囲の非平坦半導体基板に有機金属気相成長法により歪み多重量子井戸層を形成して作製する。光集積素子はこのような光機能素子を上述の特定の基板上に備える。この特定基板上にモノリシックに形成した歪み多重量子井戸構造の一部を有し組成の若干相違する複数の光機能素子を機能的に組み合わせて、発光および受光機能を有する光集積素子を作製できる。
公开日期2003-06-30
申请日期1994-03-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45696]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中尾 正史,近藤 康洋,岡安 雅信,等. 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法. JP3421999B2. 2003-04-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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