マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗; 勝山 造; 橋本 順一 |
| 发表日期 | 1999-07-16 |
| 专利号 | JP2953177B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP系の半導体レーザにも適用できるマルチビーム半導体レーザを提供すること。 【構成】 同一の半導体基板1上に2つのビームA,Bを有し、半導体基板1の裏面に共通電極10を設けると共に表面にビーム毎に分離された電極9を設けることにより各ビームA,Bを相互独立に駆動できるように構成したマルチビーム半導体レーザにおいて、各ビームの活性層4およびクラッド層3、5がそれぞれ共通層として一体化しており、かつ、ビームA,B間の上側クラッド層5の厚さdがビーム部のそれよりも薄くなっている。これにより、ビーム間のクロストークを防ぐことができ、独立駆動が可能となる。 |
| 公开日期 | 1999-09-27 |
| 申请日期 | 1992-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45698]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗,勝山 造,橋本 順一. マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法. JP2953177B2. 1999-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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