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レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法

文献类型:专利

作者遠藤 貴雄; 山本 修平; 平野 嘉仁; 玉川 恭久
发表日期2012-03-16
专利号JP4948650B2
著作权人三菱電機株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法
英文摘要高輝度で一様な照明光束の光強度分布を提供するレーザ照明装置を得る。半導体レーザ1と平板状に形成され導波路構造を有するレーザ媒質5及び非線形材料7を同平面上に配置し、レーザ媒質5の導波路モードで連続発振する複数の光源ユニット8と、当該複数の光源ユニット8からのレーザ発振光をカップリングする第一の光学系12とを有する複数の光源モジュール20と、第一の光ファイバー13及び第二の光ファイバーアレイ14を介して伝搬してきた複数の光源モジュール20からのレーザ光をカップリングする第二の光学系15と、第二の光学系15からのレーザ光を均一化されたレーザ光に変換する均一化要素16と、均一化要素16を介して均一化されたレーザ光を被照面18である基板19に所定の倍率で投写させて照明光束11とする第三の光学系17とを備える。
公开日期2012-06-06
申请日期2010-04-23
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45726]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
遠藤 貴雄,山本 修平,平野 嘉仁,等. レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法. JP4948650B2. 2012-03-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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