Group III nitride compound semiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | KOIKE, MASAYOSHI; YAMASAKI, SHIRO |
| 发表日期 | 2003-04-22 |
| 专利号 | US6552376 |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI, CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Group III nitride compound semiconductor device |
| 英文摘要 | Aluminum gallium nitride (AlxGa1-xN, 0 |
| 公开日期 | 2003-04-22 |
| 申请日期 | 2000-09-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI, CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KOIKE, MASAYOSHI,YAMASAKI, SHIRO. Group III nitride compound semiconductor device. US6552376. 2003-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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