多ビーム半導体量子井戸レーザ
文献类型：专利
| 作者 | デイビッド ダブリュー.トリート; デイビッド ピー.バワー; トーマス エル.パオリ |
| 发表日期 | 2004-03-26 |
| 专利号 | JP3536987B2 |
| 著作权人 | ゼロックス コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多ビーム半導体量子井戸レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 改良された多ビーム量子井戸ダイオードレーザを提供すること。 【構成】 層c乃至層mは、MOCVD法によって基板bを横切るように均一にエピタキシャル成長する。層k,l,及びmを介してストップ層jをエッチングする前に、ペアのメサが4窒化3ケイ素等によってペアのストライプのマスキングによって形成され、メサの上面に残るマスクによってエッチングされたウェハーは、MOCVD反応器内に再挿入され、層nはメサの上面以外のどこででも選択的に再成長する。その後、メサの上部のストライプマスクは除去され、かつ成長しすぎたペアのメサ43、44の間に配置されたストライプからなるリフトオフマスクが付着され、次いで、金属製層oがウェハー全体に付着された後にリフトオフマスクはエッチング除去され、これにより各ペアの過度に成長したメサの間で開口した非金属製領域によって分離されたアドレス可能な個々の接触面を残すことができる。 |
| 公开日期 | 2004-06-14 |
| 申请日期 | 1993-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45745]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | デイビッド ダブリュー.トリート,デイビッド ピー.バワー,トーマス エル.パオリ. 多ビーム半導体量子井戸レーザ. JP3536987B2. 2004-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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