半導体結晶成長方法および半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 五明 明子; 堀田 等; 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 1999-08-20 |
| 专利号 | JP2967719B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体結晶成長方法および半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体基板上のIII -V族混晶系のおける量子井戸層のステップバンチングを低減し、平坦化が可能な半導体素子を提供する。 【構成】 半導体基板1の面方位が(11n)を面GaAs基板(n=3,4,5,6,7)を同時にMOVPE反応炉内に入れ、GnAsに格子整合する(Alx Ga1-x )y In1-y P(x=0.6,y=0.5)クラッド層2を0.5μm成長し、その後(Al0.5 Ga0.5 )0.5 In0.5 Pバリア層(4nm×4層)、Ga0.5 In0.5 P量子井戸層(5nm×5層)の多重量子井戸層3、キャップ層4として、第2のクラッド層(Alx Ga1-x )y In1-y P4を0.5μm成長した。この時の成長温度を660℃V/III 比を55とした。 |
| 公开日期 | 1999-10-25 |
| 申请日期 | 1996-03-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45747]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 五明 明子,堀田 等,宮坂 文人. 半導体結晶成長方法および半導体素子. JP2967719B2. 1999-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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