光半導体素子、該光半導体素子を用いた光通信モジュール、および光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正; 畠山 大 |
| 发表日期 | 2002-12-20 |
| 专利号 | JP3381784B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子、該光半導体素子を用いた光通信モジュール、および光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 消光比が高く、高速なスイッチング動作が可能な光半導体素子を実現する。 【解決手段】 半導体光増幅素子1a内に埋め込まれた導波コア層3aから光導波路が構成され、導波コア層3aの入力側光ファイバ15a側の部分が光入力側導波路11a、導波コア層3aの出力側光ファイバ16a側の部分が光出力側導波路12aとなっている。導波コア層3aの、光入力側導波路11aと光出力側導波路12aとの間の部分が、一方の面側にp側電極10aが配置された利得領域13aとなっている。導波コア層3aの利得領域13aの部分の両外側に溝8aが形成されることで静電容量が低くなり、高速なスイッチング動作が可能となる。導波コア層3aの近傍を伝搬する非導波光は光入力側導波路11aまたは光出力側導波路12aの外側、すなわち溝が形成されていない領域で回折され、その非導波光が出力側光ファイバ16aに出力されることが防止される。 |
| 公开日期 | 2003-03-04 |
| 申请日期 | 1999-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45755]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正,畠山 大. 光半導体素子、該光半導体素子を用いた光通信モジュール、および光半導体素子の製造方法. JP3381784B2. 2002-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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