エピタキシャル成長用基板及び半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 2001-03-16 |
| 专利号 | JP3169177B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | エピタキシャル成長用基板及び半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板に対して格子不整合の大きいバルクのエピタキシャル層を無欠陥かつ平坦に成長させる。 【解決手段】エピタキシャル成長させる最表面の半導体層104を3種類以上の構成元素から構成する。基板101とGaAs層102は同一の結晶構造を有し、これらが相互に接合する接合面102の面方位は等しい。また、基板101とGaAs層103は接合面102に垂直な方向を軸として相対的に一定の角度だけ回転した状態で接合されている。さらに、基板101とGaAs層103は接合面102内の結晶方位の方向が異なる。 |
| 公开日期 | 2001-05-21 |
| 申请日期 | 1997-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45782]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. エピタキシャル成長用基板及び半導体発光素子. JP3169177B2. 2001-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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