エピタキシヤル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 卓 |
| 发表日期 | 1994-06-29 |
| 专利号 | JP1994050723B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | エピタキシヤル成長方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To epitaxially grow a mixed crystal graded epitaxial substrate with excellent crystalizability and surface state by a method wherein the mixed crystal graded-epitaxial substrate is specific gridunmatchedly grown into an epitaxial layer in the direction so that any distortion due to grid constant fluctuation in the substrate may be eased up. CONSTITUTION:A GaAsP mixed crystal graded-epitaxial substrate 2 for red color emitting diode is graded-epitaxially grown in the less grid constant direction on a GaAs bulk single crystal Then in order to from an InGaP or InGaAsp mixed crystal epitaxial layer with excellent crystalizability and surface state, the epitaxial substrate 2 may be grid-unmatchedly grown by around DELTAa/a:+1X10+5X10 between the single crystal 1 and a constant layer 3 to increase the grid constant. |
| 公开日期 | 1994-06-29 |
| 申请日期 | 1984-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45819]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 卓. エピタキシヤル成長方法. JP1994050723B2. 1994-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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