Injection laser with at least one pair of monoatomic layers of doping atoms
文献类型：专利
| 作者 | SCHUBERT, ERDMANN; PLOOG, KLAUS; FISCHER, ALBRECHT |
| 发表日期 | 1991-10-22 |
| 专利号 | US5060234 |
| 著作权人 | MAX-PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Injection laser with at least one pair of monoatomic layers of doping atoms |
| 英文摘要 | A semiconductor device consisting of epitaxial material is provided with at least one monoatomic layer of doping atoms, i.e. with a layer which is just one atom thick. A particularly preferred device is injection laser in which case the Dirac-delta doped layers 45 and 46 are within intrinsic layer 43. The injection laser is constructed with a hetero structure. |
| 公开日期 | 1991-10-22 |
| 申请日期 | 1991-01-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MAX-PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SCHUBERT, ERDMANN,PLOOG, KLAUS,FISCHER, ALBRECHT. Injection laser with at least one pair of monoatomic layers of doping atoms. US5060234. 1991-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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