結晶成長方法および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 伴 雄三郎; 武石 英見 |
| 发表日期 | 2002-01-18 |
| 专利号 | JP3269344B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 結晶成長方法および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の結晶品質を向上させ、発光効率が高くしかも信頼性の高い半導体発光素子を提供する。 【構成】 サファイア基板1上に、AlNバッファ層2、GaNバッファ層3が順に形成され、その上に、n-GaN:Siクラッド層4、In0.05Ga0.95N:Si、C活性層5(厚さ1μm)、p-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6からなるダブルヘテロ構造が形成され、そしてそのp-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6の上部には、p-GaN:Cコンタクト層7が形成されている。p型クラッド層にはp型不純物としてCを用いている。 |
| 公开日期 | 2002-03-25 |
| 申请日期 | 1995-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45823]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,伴 雄三郎,武石 英見. 結晶成長方法および半導体発光素子. JP3269344B2. 2002-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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