3族窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 永井 誠二; 山崎 史郎; 小池 正好; 冨田 一義; 加地 徹 |
| 发表日期 | 2005-09-09 |
| 专利号 | JP3717255B2 |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】3族窒化物半導体にて形成されるSCH構造のレーザ素子の光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くすること。又結晶にクラックが発生することを抑制すること。 【解決手段】3族窒化物半導体により形成されるSCH構造のレーザ素子において、クラッド層71をGaN にて、ガイド層62をInGaN にて形成することにより、光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くできた。この結果、活性層5が高熱に晒される時間が短くなったことにより活性層5の結晶性の悪化が少なくなった。さらに、n-クラッド層4も従来のGaN にて形成することにより、従来のAlGaN で形成されたクラッド層よりも厚く成長させてもクラックが発生することがないので、光閉じ込めに十分な厚さまで成長させることができた。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45828]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 誠二,山崎 史郎,小池 正好,等. 3族窒化物半導体レーザ素子. JP3717255B2. 2005-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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