Method of making semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | KAGAWA HITOSHI |
| 发表日期 | 1995-12-12 |
| 专利号 | CA2103716C |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 加拿大 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method of making semiconductor laser device |
| 英文摘要 | A method of making a semiconductor laser device is provided, in which a reflection control film is disposed on at least one surface of a semiconductor laser chip to control its reflectivity. then the semiconductor laser chip is attached to a mount, and the entire assembly is coated with an insulating film. |
| 公开日期 | 1991-02-19 |
| 申请日期 | 1989-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45842]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAGAWA HITOSHI. Method of making semiconductor laser device. CA2103716C. 1995-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。