ファイバグレーティング半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 隆志; 佐々木 吾朗; 塩崎 学 |
| 发表日期 | 1999-06-11 |
| 专利号 | JP2937196B1 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ファイバグレーティング半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高速度の変調に対して発振波長の安定化が可能なファイバグレーティング半導体レーザを提供する。 【解決手段】 キャリア注入によって光の発生と光の増幅とが行われる光導波路42、並びにこの光導波路42の対向する端面に設けられた光出射面44および光反射面46、を有する半導体光増幅器18と、光出射面44から隔てて配置され、コア部の所定部位にこのコア部の長手方向に沿って設けられた回折格子20を有し、この回折格子20と光反射面46とにより所定の波長において光共振を可能になるように光出射面44と光学的に結合する光ファイバグレーティング22と、を備え、光ファイバグレーティング22は、所定の波長において60%より高い反射率を有する。 |
| 公开日期 | 1999-08-23 |
| 申请日期 | 1998-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45884]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志,佐々木 吾朗,塩崎 学. ファイバグレーティング半導体レーザ. JP2937196B1. 1999-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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