自励発振型半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅 康夫 |
| 发表日期 | 2003-06-20 |
| 专利号 | JP3440980B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 自励発振を確実に行える上、高温動作時における駆動電流の増大を効果的に抑制することができる自励発振型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 n型とp型のうちの一方の導電型を持つ半導体基板11上に、上記一方の導電型を持つ第1クラッド層13と、活性層14と、n型とp型のうちの他方の導電型を持ち、表面側にストライプ状に突起したリッジ部20を有する第2クラッド層15とを順に備える。第2クラッド層15のうちリッジ部20の両側に連なる平坦部15b上に上記一方の導電型を持つ埋込層18を設ける。第2クラッド層15の平坦部15bのうち表面側部分18のキャリア濃度が第2クラッド層15の残りの部分のキャリア濃度よりも低く設定されている。 |
| 公开日期 | 2003-08-25 |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45890]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 康夫. 自励発振型半導体レーザ装置の製造方法. JP3440980B2. 2003-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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