窒化ガリウム系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 2005-03-04 |
| 专利号 | JP3653169B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を有する半導体レーザにおいて、前記活性層の幅よりも狭い幅のストライプ領域に電流が注入され、この電流注入されるストライプ領域の幅が、0.2μm以上8μm以下である。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 1998-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45898]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 窒化ガリウム系半導体レーザ素子. JP3653169B2. 2005-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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