半導体光集積素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 耕治; 佐々木 達也 |
| 发表日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP2780687B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GRIN-SCH構造とSI-SCH構造の導波層を連続して同時に形成できるようにして、高機能の光集積素子を容易に形成しうるようにする。 【構成】 n-InP基板上にマスク幅が30μmと4μmの一対のストライプ状マスクを形成し、n-InPクラッド層1、GaInAsP下層光閉じ込め層6、GaInAsP/GaInAsP多重量子井戸層7、GaInAsP上部光閉じ込め層8、p-InPクラッド層4を順次結晶成長させる。その際に、GaInAsP下層光閉じ込め層6を成長させるときには、成長室の圧力を徐々に高くしていき、GaInAsP上層光閉じ込め層8を成長させるときには、成長室の圧力を徐々に降下させる。これにより、マスク幅が30μmの領域では、GRIN-SCH構造の導波路層2が形成され、マスク幅が4μmの領域では、SI-SCH構造の導波路層3が形成される。 |
| 公开日期 | 1998-07-30 |
| 申请日期 | 1995-10-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45902]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 耕治,佐々木 達也. 半導体光集積素子およびその製造方法. JP2780687B2. 1998-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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