多重量子井戸半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩; 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP3080831B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多重量子井戸半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 長波長半導体レーザにおいて、キャリアの量子井戸への不均一注入を防止し、量子井戸内の電子の溢れ出しを防止し、かつ、利得不足から生じる閾値の増大、内部ロスから生じる閾値の増大やスロープ効率の低下を抑制する。 【構成】 p-InPクラッド層1、n-InPクラッド層6の内側にInGaAsP光導波路層2、3を設け、その間にInGaAsP障壁層4、歪InGaAsP量子井戸層5を設けた半導体レーザにおいて、量子井戸におけるホールの第1量子準位と障壁層の価電子帯のトップとのエネルギー差δEvを160meV以下とし、かつ、量子井戸における電子の第1量子準位と障壁層の伝導帯のボトムとのエネルギー差δEcを30meV以上とし、かつ、量子井戸層への光閉じ込め係数を0.01から0.07の範囲とする。 |
| 公开日期 | 2000-08-28 |
| 申请日期 | 1994-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45904]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩,森本 卓夫. 多重量子井戸半導体レーザ. JP3080831B2. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。