窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 湯浅 貴之; 上田 吉裕 |
| 发表日期 | 2007-08-31 |
| 专利号 | JP4005701B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒素化合物半導体膜の結晶貫通転移を低減し、良好な結晶性を有するGaN厚膜を得る。 【解決手段】 GaN結晶成長を抑制する特性を有する非晶質基板または(100)立方晶基板または(110)面立方晶基板の上に、GaN結晶成長を促進する膜をストライプ状に形成し、その上にGaN結晶を成長させる。 |
| 公开日期 | 2007-11-14 |
| 申请日期 | 1998-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 湯浅 貴之,上田 吉裕. 窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子. JP4005701B2. 2007-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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