半導体立体量子構造の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 西 研一 |
| 发表日期 | 2001-03-16 |
| 专利号 | JP3169064B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体立体量子構造の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光線幅を広げる要因となる半導体立体量子構造の積層方向のサイズの不均一性を非常低減した、高密度の半導体立体量子構造の作製方法を提供する。 【解決手段】 次のような工程で半導体立体量子構造を作製する:まず、半導体基板上に量子井戸構造を成長させる。 2.その表面上に量子ドットを自己形成的に形成させる。 3.その形成された量子ドットをマスクとして、基板温度を上昇させることにより、マスクでカバーされている領域の量子井戸構造を残しながらマスクでカバーされていない領域は熱脱離を起こさせて量子井戸構造を消失させる。 |
| 公开日期 | 2001-05-21 |
| 申请日期 | 1997-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45943]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西 研一. 半導体立体量子構造の作製方法. JP3169064B2. 2001-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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