端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷 健太郎; 渡辺 昌規; 山本 修 |
| 发表日期 | 2005-04-28 |
| 专利号 | JP3672106B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 最大光出力を十分なレベルにし、電流-光変換微分効率を高くでき、しかも寿命を長くする。 【構成】 n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層からなるダブルヘテロ構造を具備し、該活性層よりも禁制帯幅が大きい化合物半導体からなる窓層15を光出射端面に有する端面成長窓型半導体レーザ素子において、該窓層15を成長した後に熱処理を行う。 |
| 公开日期 | 2005-07-13 |
| 申请日期 | 1994-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45958]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷 健太郎,渡辺 昌規,山本 修. 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法. JP3672106B2. 2005-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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