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光機能素子の作製方法

文献类型:专利

作者小倉 睦郎; 渡辺 正信; 伊藤 日出男; 森 雅彦; 向井 誠二; 矢嶋 弘義; 陳 智勇
发表日期1995-12-06
专利号JP1995114307B2
著作权人工業技術院長
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光機能素子の作製方法
英文摘要【目的】 基板上に、簡単なプロセスで十分な光閉じ込め機能の光導波路構造を持つ光機能素子を製造する。集積度向上の阻害要因も除去し、レイアウトの自由度も得る。 【構成】 n-GaAs基板2の上に所定の幅の一対の絶縁膜3,3を形成する。当該一対の絶縁膜の間のストライプ状窓4により露呈した基板主面上に、MOCVDにより、AlGaAs下側クラッド層6、GaAs導波路層7、AlGaAs上側クラッド層8を順次成長させ、光導波路構造を製造する。基板2の主面が (1,0,0)面であれば、光導波路構造の側面は(1,1,1)B面による斜面となる。
公开日期1995-12-06
申请日期1991-09-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45976]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位工業技術院長
推荐引用方式
GB/T 7714
小倉 睦郎,渡辺 正信,伊藤 日出男,等. 光機能素子の作製方法. JP1995114307B2. 1995-12-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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