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分布帰還型半導体レーザの駆動方法

文献类型:专利

作者水谷 夏彦
发表日期2001-12-21
专利号JP3261679B2
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名分布帰還型半導体レーザの駆動方法
英文摘要【目的】レーザ共振器の実効的な反射率を動的に変えることで、デバイスの偏波モードの選択をより安定なものにし、端面位相に敏感ではなく偏波スイッチング動作をする半導体レーザである。 【構成】偏波面の異なる2つの偏波モードでの発振を可能にする半導体レーザである。共振方向に2つ以上の電極113,114を有し、電極113,114の下の第1の光導波路部分11と第2の光導波路部分12がレーザの共振器を構成する。第1の光導波路部分11と第2の光導波路部分12の間において、偏波面の異なる2つの偏波モードに対する導波路の伝搬定数差が異なっている。2つの電極113,114に不均一な電流注入をすることで、第1の光導波路部11と第2の光導波路部12でTEモードのブラッグ波長が一致している状態と、第1の光導波路部11と第2の光導波路部12でTMモードのブラッグ波長が一致している状態の2つの動作状態を択一的に選択する。
公开日期2002-03-04
申请日期1995-03-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45984]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
水谷 夏彦. 分布帰還型半導体レーザの駆動方法. JP3261679B2. 2001-12-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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