Epitaxial wafer for a semiconductor light emitting device, method for fabricating the same and semiconductor light emitting device
文献类型：专利
| 作者 | SUZUKI, RYOJI |
| 发表日期 | 2009-11-24 |
| 专利号 | US7622745 |
| 著作权人 | HITACHI CABLE, LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Epitaxial wafer for a semiconductor light emitting device, method for fabricating the same and semiconductor light emitting device |
| 英文摘要 | A n-type GaAs buffer layer 2, a n-type GaInP buffer layer 3, a n-type AlGaInP cladding layer 4, an undoped AlGaAs guide layer 5, an AlGaAs/GaAs multiquantum well (MQW) active layer 6, a first p-type AlGaInP cladding layer 7, a p-type GaInP etching stopper layer 8, a second p-type AlGaInP cladding layer 9, a C-doped AlGaAs layer (Zn-diffusion suppressing layer) 10, a p-type GaInP intermediate layer 11, and a p-type GaAs cap layer 12 are sequentially grown on a n-type GaAs substrate |
| 公开日期 | 2009-11-24 |
| 申请日期 | 2006-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45987]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE, LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI, RYOJI. Epitaxial wafer for a semiconductor light emitting device, method for fabricating the same and semiconductor light emitting device. US7622745. 2009-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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