窒化物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 太田 啓之; 渡辺 温; 田中 利之 |
| 发表日期 | 2006-01-13 |
| 专利号 | JP3758390B2 |
| 著作权人 | パイオニア株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 III族窒化物半導体の多層構造からなる半導体発光素子において、結晶基板との界面を起点として該多層構造を貫通する貫通転位の密度を抑制し、良好な発光特性を得る。 【解決手段】 基板面と平行でない面によって構成される略錐状の結晶粒が不規則な形状の島状に分布した第1の結晶層と、第1の結晶層上にあって第1の結晶層と格子定数の異なる化合物によって第1の結晶層の表面を基板面と平行に平坦化するように配された第2の結晶層と、を多層構造内に有する。 |
| 公开日期 | 2006-03-22 |
| 申请日期 | 1998-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45988]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パイオニア株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 啓之,渡辺 温,田中 利之. 窒化物半導体発光素子及びその製造方法. JP3758390B2. 2006-01-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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