Buried heterostructure laser diode
文献类型：专利
| 作者 | MITO, IKUO; KITAMURA, MITSUHIRO; KAEDE, KAZUHISA; KOBAYASHI, KOHROH |
| 发表日期 | 1984-01-10 |
| 专利号 | US4425650 |
| 著作权人 | NIPPON ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Buried heterostructure laser diode |
| 英文摘要 | A buried heterostructure laser diode and method for making the same wherein an active layer is provided in a semiconductor region forming a mesa stripe, and, except for the top surface portion of the mesa stripe, the side surface portion of the mesa stripe and the remainder are covered by a current-blocking layer. Furthermore, a current-confining layer covers only this current-blocking layer, and a clad layer covers the current-blocking layer and the top surface portion of the mesa stripe. |
| 公开日期 | 1984-01-10 |
| 申请日期 | 1981-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45992]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MITO, IKUO,KITAMURA, MITSUHIRO,KAEDE, KAZUHISA,et al. Buried heterostructure laser diode. US4425650. 1984-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。