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半導体レーザー及び半導体レーザー装置

文献类型:专利

作者▲浜▼本 貴一
发表日期2013-04-26
专利号JP5250768B2
著作权人国立大学法人九州大学
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レーザー及び半導体レーザー装置
英文摘要【課題】マルチモード干渉導波路を用いてN出力される光の相対位相を固定することにより効果的に光の漏れを抑制し、高い光出力を実現する。 【解決手段】半導体レーザー1は、1×3型マルチモード干渉導波路102と、マルチモード干渉導波路102の一方の端部に設けられ、光を導波する1本の光導波路101と、マルチモード干渉導波路102の他方の端部に設けられ、レーザー光を導波させる3本の光導波路(直線導波路108及び曲線導波路107)と、を備える。1本の直線導波路108及び2本の曲線導波路107の一部が、各前方端面105において光の位相を整合させるように光位相整合領域103を構成し、後方端面106と前方端面105との間で共振器が形成されている。 【選択図】図1
公开日期2013-07-31
申请日期2007-08-24
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45997]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国立大学法人九州大学
推荐引用方式
GB/T 7714
▲浜▼本 貴一. 半導体レーザー及び半導体レーザー装置. JP5250768B2. 2013-04-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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