III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 直樹; 伊藤 潤; 千代 敏明; 野杁 静代; 渡邉 大志; 浅見 慎也 |
| 发表日期 | 2005-07-29 |
| 专利号 | JP3702700B2 |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 基板とIII族窒化物系化合物半導体層との間の熱膨張率の相違によりIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるときの高温でIII族窒化物系化合物半導体層にストレスが蓄積される。 【構成】 III族窒化物系化合物半導体がその上に成長しない材料からなる離隔層を基板上に形成し、該離隔層で覆われていない基板の表面上へ、離隔層で離隔された状態を維持して、III族窒化物系化合物半導体を成長させる。 |
| 公开日期 | 2005-10-05 |
| 申请日期 | 1999-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46014]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 直樹,伊藤 潤,千代 敏明,等. III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法. JP3702700B2. 2005-07-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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