半導体素子の不純物濃度の測定方法
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 2001-02-09 |
| 专利号 | JP3156778B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の不純物濃度の測定方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 無バイアス状態で空乏層の形成される、pn接合近傍領域の不純物濃度およびその分布を測定する。 【解決手段】 オーミックp電極107、109とAuGeのn電極101との間に順バイアス電圧を印加する。順バイアス電圧は、無バイアスで熱平衡状態にあるときのpn接合近傍の不純物拡散電位と略等しくする。この状態でショットキ電極108とAuGeのn電極101との間に逆バイアス電圧を印加する。逆バイアス電圧とショットキ電極108直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Pクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 |
| 公开日期 | 2001-04-16 |
| 申请日期 | 1998-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46033]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 半導体素子の不純物濃度の測定方法. JP3156778B2. 2001-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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