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モノリシックに集積したレーザと電子吸収変調器光源とその製造方法

文献类型:专利

作者アンドリュー ゴンペルツ デンタイ; こやま ふみお; カン-イー リュー
发表日期2001-08-31
专利号JP3227322B2
著作权人エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
国家日本
文献子类授权发明
其他题名モノリシックに集積したレーザと電子吸収変調器光源とその製造方法
英文摘要【目的】 DFB、あるいは、DBRレーザと変調器とを一体にモノリシックに形成する製造方法と、それにより製造された素子を提供することである。 【構成】 DFB、あるいは、DBRレーザと変調器とを一体に形成した光源を製造する本発明の方法は、パターン化された基板に対し、有機金属気相エピタキシーを用いることである。本発明の方法によれば、電子吸収変調器と光学増幅器とをモノリシックに一体に形成する本発明の方法は、非平面状の基板に対し、側面のバンドギャップを制御するプロセスを用いるものである。本発明の方法によって製造された素子は、バンドギャップの波長のシフトが60nm以上であり、これにより、変調器とレーザと増幅器との一体形成が可能となる。本発明の素子は、GaInAs/GaInAsPの歪量子井戸を10μmの幅のオーダの幅の隆起部上に大気圧MOVPE成長させることにより形成できる。
公开日期2001-11-12
申请日期1994-11-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46034]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
推荐引用方式
GB/T 7714
アンドリュー ゴンペルツ デンタイ,こやま ふみお,カン-イー リュー. モノリシックに集積したレーザと電子吸収変調器光源とその製造方法. JP3227322B2. 2001-08-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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