化合物半導体膜の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | ティモシー ディビッド ベストウィック; ジェフリー ダガン; ストゥワート エドワード クーパー; ティン サン チェン; チャールズ トーマス ベイレイ フォクソン |
| 发表日期 | 2002-12-27 |
| 专利号 | JP3385180B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体膜の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 平坦な膜を信頼性があり且つ再現性のある方法で得ることを可能にする、化合物半導体膜の改良された形成方法を提供する。 【解決手段】 平坦で連続したGaN膜を形成する方法において、膜が形成される成長期間に渡って、Gaを第1到着レートプロフィールに従って、そして窒素を第2到着レートプロフィールに従って、サファイア基板に到着させる。第1及び第2到着レートプロフィールは、Ga及びNが該成長期間に渡って基板に同時に到着するように、及び(i)成長期間の最初の部分では、Gaが化学量論的に過剰な条件下で膜の成長が行われ、(ii)成長期間の引き続く部分では、Nが化学量論的に過剰な条件下で膜の成長が行われるように、設定される。 |
| 公开日期 | 2003-03-10 |
| 申请日期 | 1997-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46084]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ティモシー ディビッド ベストウィック,ジェフリー ダガン,ストゥワート エドワード クーパー,等. 化合物半導体膜の形成方法. JP3385180B2. 2002-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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