リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 圭; 平松 卓磨; 高橋 幸司; 種谷 元隆 |
| 发表日期 | 2005-08-19 |
| 专利号 | JP3710524B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 凹凸形状の回折格子を有するリッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置において、ストライプ状リッジ構造のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚を同時に精度よく制御することにより、素子の再現性が優れ、作製歩留まりの優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 回折格子の凹凸形状が緩和された表面を有するエッチングストップ層を形成し、選択エッチングを行ってストライプ状リッジ構造を形成する。これにより、リッジ形状のリッジ幅及びリッジ外のエッチング残し厚の制御性が向上し、リッジ形状の高精度な制御が可能となり、素子の再現性が良く、作製歩留まりが高い半導体レーザ装置及びその製造方法を得られる。 |
| 公开日期 | 2005-10-26 |
| 申请日期 | 1995-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 圭,平松 卓磨,高橋 幸司,等. リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3710524B2. 2005-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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