窒化物半導体レーザー素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 雅彦; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2004-10-08 |
| 专利号 | JP3604278B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザー素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジストライプがp層側に設けられてなるレーザ素子において、p側のクラッド層の表面に絶縁性の高い絶縁膜が設けられた信頼性の高いレーザ素子を提供すると共に、均一な膜厚で絶縁膜を形成すると共に、簡単な方法で絶縁膜を形成して、その絶縁膜を介して電極を形成しやすくできる電極の形成方法を提供する。 【構成】 p側クラッド層の上に、p側コンタクト層が積層され、そのp側コンタクト層からエッチングされて、p側コンタクト層よりも下の層に、ストライプ状の導波路領域が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、そのストライプ導波路のストライプの両側面、およびその側面と連続した窒化物半導体層の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にあり、その平面には、Si酸化物以外の絶縁膜が形成され、さらにその絶縁膜を介して、前記ストライプの最上層にあるコンタクト層の表面に電極が設けられている。さらにストライプ導波路の位置をp側クラッド層よりも下の層とすると閾値が著しく低下する。 |
| 公开日期 | 2004-12-22 |
| 申请日期 | 1998-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 雅彦,中村 修二. 窒化物半導体レーザー素子. JP3604278B2. 2004-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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