Heterostructure laser with lattice mismatch
文献类型:专利
作者 | SCIFRES, DONALD R.; WELCH, DAVID F.; ENDRIZ, JOHN; STREIFER, DECEASED, WILLIAM |
发表日期 | 1991-09-10 |
专利号 | US5048036 |
著作权人 | SPECTRA DIODE LABORATORIES, INC. |
国家 | 美国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Heterostructure laser with lattice mismatch |
英文摘要 | Semiconductor heterostructure lasers having at least one lattice mismatched strain layer in the cladding proximate to the active region. Indium or phosphorus may be added in high concentration to form the strain layers. The strain layers may be spaced somewhat apart from the active region or may be adjacent to the active region. In either case, the strain layers decrease transparency current and increase differential gain. |
公开日期 | 1991-09-10 |
申请日期 | 1991-01-04 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46099] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SPECTRA DIODE LABORATORIES, INC. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SCIFRES, DONALD R.,WELCH, DAVID F.,ENDRIZ, JOHN,et al. Heterostructure laser with lattice mismatch. US5048036. 1991-09-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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