Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer
文献类型：专利
| 作者 | EDMOND, JOHN ADAM; DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE; KONG, HUA-SHUANG; BERGMANN, MICHAEL JOHN |
| 发表日期 | 2005-10-04 |
| 专利号 | US6952024 |
| 著作权人 | CREE, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer |
| 英文摘要 | A semiconductor structure for light emitting devices includes a Group III nitride active layer positioned between a silicon carbide cladding layer and a Group III nitride cladding layer, wherein the silicon carbide cladding layer and the Group III nitride cladding layer have opposite conductivity types. Moreover, the silicon carbide cladding layer and the Group III nitride cladding layer have respective bandgaps that are larger than the bandgap of the active layer. |
| 公开日期 | 2005-10-04 |
| 申请日期 | 2003-02-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46107]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CREE, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | EDMOND, JOHN ADAM,DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE,KONG, HUA-SHUANG,et al. Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer. US6952024. 2005-10-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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