化合物半導体の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 皆川 重量; 山口 浩; 近藤 正彦; 柳沢 浩徳 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP2982345B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体の形成方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To increase the concentration of carriers of a p-AlGaInP layer by using a hydrogen, nitrogent or rare gas-containing atmosphere which does not include hydrogen compound in a cooling process at the end of crystal growth of p-AlGaInP. CONSTITUTION:At an atmosphere in a cooling process at the end of crystal growth of a cladding layer 13 of a p-AlGaInP group semiconductor laser, there is used an atomosphere which contains rare gas, such as hydrogen, nitrogent, or helium or argon instead of hydrogen compounds, such as AsH3 or PH3. More specifically, a further attempt is made not to include AsH3 and PH3 or other resolvable hydrogen compounds in the atmosphere. This construction makes it possible to obtain a higher carrier concentration in the p-AlGaInP cladding layer 13. |
| 公开日期 | 1999-11-22 |
| 申请日期 | 1991-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 皆川 重量,山口 浩,近藤 正彦,等. 化合物半導体の形成方法. JP2982345B2. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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