Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren
文献类型:专利
作者 | KUMURA YOSHINORI; OTA HIROYUKI; NISHITSUKA MITSURU |
发表日期 | 2002-05-16 |
专利号 | DE60000115D1 |
著作权人 | PIONEER CORPORATION,TOKYO |
国家 | 德国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren |
英文摘要 | A semiconductor laser having the characteristic of a stable lateral transverse mode and the fabricating method therefor. The method for fabricating a GaN-based semiconductor laser is characterized by comprising the steps of forming a first mask (14) on a first conductive layer (3) composed of an n-type semiconductor, depositing a second conductive layer (13) of a thickness not exceeding the thickness of the first mask, removing the first mask, depositing an n-type cladding layer (4), depositing optical waveguide layers (5,7) including at least an active layer (6), and depositing a p-type cladding layer (8). |
公开日期 | 2002-05-16 |
申请日期 | 2000-01-31 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46170] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | PIONEER CORPORATION,TOKYO |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KUMURA YOSHINORI,OTA HIROYUKI,NISHITSUKA MITSURU. Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren. DE60000115D1. 2002-05-16. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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