Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren
文献类型：专利
| 作者 | KUMURA YOSHINORI; OTA HIROYUKI; NISHITSUKA MITSURU |
| 发表日期 | 2002-05-16 |
| 专利号 | DE60000115D1 |
| 著作权人 | PIONEER CORPORATION,TOKYO |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| 英文摘要 | A semiconductor laser having the characteristic of a stable lateral transverse mode and the fabricating method therefor. The method for fabricating a GaN-based semiconductor laser is characterized by comprising the steps of forming a first mask (14) on a first conductive layer (3) composed of an n-type semiconductor, depositing a second conductive layer (13) of a thickness not exceeding the thickness of the first mask, removing the first mask, depositing an n-type cladding layer (4), depositing optical waveguide layers (5,7) including at least an active layer (6), and depositing a p-type cladding layer (8). |
| 公开日期 | 2002-05-16 |
| 申请日期 | 2000-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46170]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER CORPORATION,TOKYO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUMURA YOSHINORI,OTA HIROYUKI,NISHITSUKA MITSURU. Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren. DE60000115D1. 2002-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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