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Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren

文献类型:专利

作者KUMURA YOSHINORI; OTA HIROYUKI; NISHITSUKA MITSURU
发表日期2002-05-16
专利号DE60000115D1
著作权人PIONEER CORPORATION,TOKYO
国家德国
文献子类授权发明
其他题名Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren
英文摘要A semiconductor laser having the characteristic of a stable lateral transverse mode and the fabricating method therefor. The method for fabricating a GaN-based semiconductor laser is characterized by comprising the steps of forming a first mask (14) on a first conductive layer (3) composed of an n-type semiconductor, depositing a second conductive layer (13) of a thickness not exceeding the thickness of the first mask, removing the first mask, depositing an n-type cladding layer (4), depositing optical waveguide layers (5,7) including at least an active layer (6), and depositing a p-type cladding layer (8).
公开日期2002-05-16
申请日期2000-01-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46170]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位PIONEER CORPORATION,TOKYO
推荐引用方式
GB/T 7714
KUMURA YOSHINORI,OTA HIROYUKI,NISHITSUKA MITSURU. Halbleiterlaser und zugehöriges Herstellungsverfahren. DE60000115D1. 2002-05-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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