Semiconductor laser device having plural active regions
文献类型：专利
| 作者 | LANG, HI-ROY-OSHI; MATSUSHITA, SHIGEO |
| 发表日期 | 1982-03-02 |
| 专利号 | US4318059 |
| 著作权人 | NIPPON ELECTRIC CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device having plural active regions |
| 英文摘要 | A monolithically integrated semiconductor laser device capable of producing a plurality of light beams different in wavelength from each other. |
| 公开日期 | 1982-03-02 |
| 申请日期 | 1980-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LANG, HI-ROY-OSHI,MATSUSHITA, SHIGEO. Semiconductor laser device having plural active regions. US4318059. 1982-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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