埋め込み構造半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋; 中尾 正史; 岡安 雅信 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP3038424B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 複雑な工程を必要とせずに低い閾値で動作して高効率を得られる埋め込む埋め込み構造半導体レーザが製造できるようにすることを特徴とする。 【構成】 電流閉じ込め層5形成時のn型InPの気相成長において、ドープするSeの濃度を8×1018cm-3以上とすることで、メサストライプ上の(100)結晶面にはn型InPが堆積しないようになるこのため、クラッド層4のメサストライプ状の部分の(100)結晶面を有する上平面にはn型InPは成長せず、その両側にクラッド層4のメサストライプ状の部分の(100)結晶面を有する上平面に続く一部がこの平面と同一面となるように、電流閉じ込め層5が形成される。 |
| 公开日期 | 2000-05-08 |
| 申请日期 | 1993-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋,中尾 正史,岡安 雅信. 埋め込み構造半導体レーザとその製造方法. JP3038424B2. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。