AlGaInP系半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅 康夫; 高橋 向星; 細田 昌宏; 角田 篤勇; 谷 健太郎 |
| 发表日期 | 1997-10-17 |
| 专利号 | JP2708992B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | AlGaInP系半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 エッチング時に形成される酸化膜層を除去し、清浄な結晶面を露出させて再成長を行い、高品質な結晶の再成長を行って、装置の信頼性を向上する。 【構成】 AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチングし、表面に露出したAlGaInP層上に500℃以下の低温でプラズマ40が照射され、導波路作製のためのエッチング表面に形成された酸化膜層が除去され、清浄な結晶面26が露出される。この清浄な結晶面26に再成長を行うことにより高品質な結晶の再成長が行われ、界面の品質は向上し、レーザ装置の信頼性が向上される。更に、AlGaInP系半導体多層膜をメサ状に加工する工程を包含する。 |
| 公开日期 | 1998-02-04 |
| 申请日期 | 1991-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46196]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 康夫,高橋 向星,細田 昌宏,等. AlGaInP系半導体発光装置の製造方法. JP2708992B2. 1997-10-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。