埋込み構造半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP3132054B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 〔目的〕 埋込み層の平坦性を実現し、高性能な半導体レーザが製作できる半導体レーザ製造方法を提供する。 〔構成〕 n形InP半導体基板1または該基板1上にバッファ層1bが形成されている基板上に、活性層2、p形InPクラッド層3を堆積し、前記クラッド層3、活性層2もしくはバッファ層1bを選択的にエッチングしてメサ構造を形成し、該メサ構造以外の領域をp形InP電流ブロック層5及びVI族ドーパントを用いたn形InP電流閉じ込め層6で埋込み、電流狭窄及び光閉じ込め層を形成し、該基板全面にp形InPクラッド層7とp形キャップ層8を堆積する半導体レーザの製造方法である。 〔効果〕 レーザ特性の均一性,制御性を向上することができ、さらに、レーザ製作の歩留まりを向上することができる。 |
| 公开日期 | 2001-02-05 |
| 申请日期 | 1991-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋. 埋込み構造半導体レーザの製造方法. JP3132054B2. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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