偏波変調半導体レーザとその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 水谷 夏彦 |
| 发表日期 | 2003-01-10 |
| 专利号 | JP3387720B2 |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 偏波変調半導体レーザとその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】変調時のチャーピングを抑えた偏波変調半導体レーザである。 【解決手段】分布帰還型半導体レーザの共振器方向に2つ以上の電極108を有し、電極108に対応して共振器を構成する第1の光導波路部121と第2の光導波路部122は、独立に電流注入可能でありかつ利得スペクトルの注入電流依存性が異なる。この構成で、TEモードでの周回利得とTMモードでの周回利得の競合するバイアス状態を選定できる。このバイアス状態のデバイスに対して、1以上の電極108に微小変調信号を重畳して偏波変調する。 |
| 公开日期 | 2003-03-17 |
| 申请日期 | 1996-01-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水谷 夏彦. 偏波変調半導体レーザとその作製方法. JP3387720B2. 2003-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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