エピタキシャル成長方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲吉▼田 清輝; 入川 理徳 |
| 发表日期 | 2002-09-13 |
| 专利号 | JP3349316B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | エピタキシャル成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 単一のSi基板上の一部領域にGaNとAlGaNまたはInGaNとGaNとの積層体を形成し、他の領域にGaAsとAlGaAsまたはInGaAsとGaAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方法を提供することにある。 【解決手段】 GaNとAlGaNまたはInGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去されて露出しているSi基板上に、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層を形成し、Al源としてジメチルアルミニウムハイドライドを使用し、In源としてトリメチルインジュウムを使用し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層の上にAlGaAs層またはInGaAs層を形成し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、AlGaAs層またはInGaAs層の上に第2のGaAs層を形成する工程を有するエピタキシャル成長方法である。 |
| 公开日期 | 2002-11-25 |
| 申请日期 | 1995-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 清輝,入川 理徳. エピタキシャル成長方法. JP3349316B2. 2002-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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