発光ダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 秀人; 板谷 和彦 |
| 发表日期 | 2002-11-22 |
| 专利号 | JP3373561B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 発光ダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 InGaAlP等からなる量子井戸構造発光部における発光効率を改善することができ、輝度向上をはかり得る半導体発光装置を提供すること。 【構成】 n-GaAs基板11と、この基板11上に形成されたn-InGaAlPクラッド層12と、このクラッド12層上に形成された、量子井戸層13aを障壁層13bで挟んだ量子井戸構造からなる発光層13と、この発光層13上に形成されたp-InGaAlPクラッド層14とを具備し、基板11と反対側の面上から光を取り出すLEDにおいて、発光層13を成す量子井戸構造の量子井戸層13aの層数を10以上としたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2003-02-04 |
| 申请日期 | 1992-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 秀人,板谷 和彦. 発光ダイオード. JP3373561B2. 2002-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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