長波長半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 1997-07-25 |
| 专利号 | JP2677232B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 長波長半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸層へのキャリアの注入効率を向上させて、しきい値を低減しスロープ効率を向上させる。 【構成】 半絶縁性InP基板1上に、MQW活性層2、絶縁性InPクラッド層3を設け、ストライプ状に加工したMQW活性層2、絶縁性InPクラッド層3の側面に、バンドギャップエネルギーが、MQW活性層2の井戸層のそれより大きく、障壁層のそれより小さい材料であるInGaAsPを用いてp型キャリア注入ガイド層4、n型キャリア注入ガイド層7を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-11-17 |
| 申请日期 | 1995-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 長波長半導体レーザおよびその製造方法. JP2677232B2. 1997-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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