埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法
文献类型：专利
| 作者 | ロナルド·ジヤ-ル·ネルソン; ランダル·ブリアン·ウイルソン |
| 发表日期 | 1994-11-16 |
| 专利号 | JP1994093527B2 |
| 著作权人 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法 |
| 英文摘要 | In the fabrication of buried heterostructure InP/InGaAsP lasers, mask undercutting during the mesa etching step is alleviated by a combination of steps which includes the epitaxial growth of a large bandgap InGaAsP cap layer (05 eV APPROXLESS Eg APPROXLESS 24 eV) and the plasma deposition of a SiO2 etch masking layer. Alternatively, the cap layer may be a bilayer: an InGaAs layer or narrow bandgap InGaAsP (Eg APPROXLESS 05 eV), which has low contact resistance, and a thin InP protective layer which reduces undercutting and which is removed after LPE regrowth is complete. In both cases, etching at a low temperature with agitation has been found advantageous. |
| 公开日期 | 1994-11-16 |
| 申请日期 | 1984-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ロナルド·ジヤ-ル·ネルソン,ランダル·ブリアン·ウイルソン. 埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法. JP1994093527B2. 1994-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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