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光発生装置及びその製造方法

文献类型:专利

作者北岡 康夫; 山本 和久; 加藤 誠; 宇野 智昭
发表日期2003-12-26
专利号JP3506304B2
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光発生装置及びその製造方法
英文摘要(修正有) 【課題】 簡単な光学調整で半導体レーザ光を光導波路型光機能デバイス上の光導波路に結合することができ、且つ半導体レーザチップが発熱しても安定な動作特性を維持できる、超小型光発生装置を実現する。 【解決手段】 L字型のサブマウント16の第1の部分16Aの材料はAlNセラミックスであり、第2の部分16Bの材料はZrO2セラミックスである。サブマウント16の上の第1の面(16A’)の基準線C(第2の面16B’に含まれる)より1μm離れた位置に半導体レーザチップ1の活性層2の発光領域が一致するように、半導体レーザチップ1をサブマウント16の上に固定する。さらに、光導波路型SHGデバイス9を、サブマウント16の第2の面16B’の上で矢印方向に一軸位置合わせ調整して、半導体レーザチップ1の光を光導波路10に結合させる。
公开日期2004-03-15
申请日期1996-11-15
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46267]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
北岡 康夫,山本 和久,加藤 誠,等. 光発生装置及びその製造方法. JP3506304B2. 2003-12-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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