Tapered laser or waveguide optoelectronic method
文献类型：专利
| 作者 | GOODHUE, WILLIAM D. |
| 发表日期 | 1989-08-08 |
| 专利号 | US4855255 |
| 著作权人 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY, A CORP. OF MA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Tapered laser or waveguide optoelectronic method |
| 英文摘要 | A method and apparatus for forming tapered thickness and material content of III-V material, or alloys thereof, in particular GaAs and AlGaAs, by gradient thermal heating of substrates during epitaxial growth and the optoelectronic structures formed thereby. |
| 公开日期 | 1989-08-08 |
| 申请日期 | 1988-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46276]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY, A CORP. OF MA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOODHUE, WILLIAM D.. Tapered laser or waveguide optoelectronic method. US4855255. 1989-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。