面発光半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 戸田 淳 |
| 发表日期 | 2001-10-12 |
| 专利号 | JP3239516B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 製造プロセスが簡単でしかも高出力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現する。 【構成】 n型半導体基板1上に反射鏡としてのDBR半導体多層膜2を形成し、その上にn型クラッド層3、活性層4およびp型クラッド層5から成るダブルヘテロ構造の水平共振器を形成し、さらに水平共振器の反射端面を含む側面に反射鏡としての誘電体多層膜9を形成する。活性層4の直上までの深さの溝7をp型クラッド層5に形成する。この溝7を散乱体として用いて、水平共振器内に発生する光場の光を散乱させ、DBR半導体多層膜2の働きなどにより高効率で面発光を実現する。 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 申请日期 | 1993-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戸田 淳. 面発光半導体レーザー. JP3239516B2. 2001-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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