多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司; 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 1997-05-09 |
| 专利号 | JP2647018B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザに関し、少なくとも2つ以上の利得ピ-ク(図6の“第1の利得ピ-ク32”“第2の利得ピ-ク33”参照)を有する多重量子井戸活性層を用い、広い温度範囲にわたりブラッグ波長近傍に少なくとも1つの利得ピ-クを備えることで、ディチュ-ニング量が増大することを回避し、温度特性の向上や広い温度範囲での伝送を可能にすること。 【構成】 導波路層に回折格子を有し、活性層が多重量子井戸からなる多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザにおいて、前記多重量子井戸が少なくとも2つ以上の異なる利得ピ-クを有し、かつ、前記量子井戸層のうち最も長波長の利得ピ-クと回折格子の格子周期と導波路層実効屈折率差で決定されるブラッグ波長との差が-40℃の動作温度で±5nm以内にあり、更に、前記量子井戸層のうち最も短波長の利得ピ-クと前記ブラッグ波長との差が85℃の動作温度で±5nm以内にあることを特徴とする多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ。 |
| 公开日期 | 1997-08-27 |
| 申请日期 | 1994-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46313]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司,佐々木 善浩. 多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ. JP2647018B2. 1997-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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